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金氧半場效電晶體(MOSFET)

金氧半場效電晶體 (MOSFET)

金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)是一種廣泛應用於電子電路中的半導體元件,主要用於電源開關和信號放大。MOSFET 具有高效率、低損耗及高速響應等特點,是現代電子設備不可或缺的核心元件。

主要特點:

  • 高速開關性能:開關速度快,適合高頻應用。
  • 低導通電阻:減少導通損耗,提高效率。
  • 高輸入阻抗:降低驅動功率需求。
  • 耐高壓能力強:適合高壓應用環境。

典型應用:

  1. 開關電源 (SMPS) 和直流-直流轉換器。
  2. 電機驅動和控制系統。
  3. 消費電子設備中的功率管理。
  4. 太陽能逆變器和電池管理系統。

規格參數範例:

  • 閘極驅動電壓:2.5V – 20V。
  • 最大漏極電流 (ID):10A – 500A。
  • 導通電阻 (RDS(on)):1mΩ – 100mΩ。
  • 耐壓範圍:20V – 1200V。
  • 封裝形式:TO-220、TO-247、SO-8、DFN 等。

MOSFET 提供高效的電源管理和信號放大解決方案,是電子設備設計中的核心技術元件。


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