絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 產品簡介

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產品名稱: 絕緣閘雙極電晶體 (Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT)
類型: 功率半導體器件

產品描述: 絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 是一種高效能的功率半導體元件，結合了 MOSFET 的閘極驅動特性和雙極電晶體的高電流容量。它具有低功耗、高效率的特性，是目前市場上廣泛應用於高壓及高功率設備的理想選擇。

主要特點:

• 高效率: IGBT 具有低開關損耗和低導通電阻，適用於需要高效能的應用。
• 高電壓阻斷能力: 適合用於 600V 至 6.5kV 的應用範圍。
• 快速切換: 減少電路中的功率損耗。
• 簡化驅動: 只需低功率的閘極驅動。

應用範圍:

• 可再生能源 (太陽能逆變器、風能轉換器)
• 工業設備 (馬達驅動器、溫度控制器)
• 消費性電子 (家電)
• 電動車與混合動力車

產品規格:

• 電壓等級: 600V/1200V/1700V/3300V
• 電流等級: 10A ~ 1200A
• 開關速度: <1微秒